Samsung Electronics объявила о завершении разработки 5-нм технологии FinFET EUV, предназначенной для производства чипов. Компания готова разослать клиентам образцы новых микросхем, передает издание DigiTimes.По сравнению с 7-нм техпроцессом новый обеспечивает 25-процентное повышение плотности компоновки логических цепей и уменьшение количества фотомасок, необходимых для производства полупроводников. Кроме того, процессоры на базе такой технологии обладают увеличенной на 10% производительностью и сниженным на 25% энергопотреблением.К важным достоинствам созданного техпроцесса южнокорейский гигант относит возможность повторно использовать все объекты интеллектуальной собственности, рассчитанные на нормы 7 нм. Это сокращаются расходы и ускоряется на переход к более тонким нормам.В FinFET EUV для формирования слоя металлизации используется принцип фотолитографии в глубоком (экстремальном) ультрафиолетовом диапазоне. Эта технология уже доказала свою эффективность в ранее освоенном Samsung 7-нанометровом техпроцессе.На данный момент неизвестно, когда Samsung начнет производство чипов на техпроцессе FinFET EUV. Отмечается, что новая технология освоена на предприятии S3 в Хвасоне (Южная Корея).По материалам DigiTimesИсточник: DailyComm
